公和我在厨房里添,av无码精品一区二区三区,亚洲中文字幕一区精品自拍,99久久人妻精品免费一区

深圳市吉美光學(xué)有限公司

新聞資訊

技術(shù)資料

 >首頁(yè)>新聞資訊

離子鍍膜技術(shù)原理及工藝4

發(fā)佈時(shí)間:2017-12-18 點(diǎn)擊:5567

離子鍍膜技術(shù)原理及工藝

(6-7)離子鍍膜工藝過程及應(yīng)用範(fàn)圍

王福貞

離子鍍膜工藝過程:

6.1 真空條件:

鍍膜室的真空度抽至(3—6)×10-3Pa,以減少殘餘氣體;

氣體管道必須嚴(yán)格保持密封;

鍍膜室器壁必須進(jìn)行除氣:可以烘烤加熱,或在鍍膜室壁上加負(fù)偏壓,儘量減少雜質(zhì)氣體的含量。

6.2 烘烤加熱:

烘烤加熱除了使鍍膜室壁除氣,

對(duì)工件進(jìn)行加熱,以提高膜層的附著力。


6.3 離子轟擊淨(jìng)化:

1)氬離子轟擊淨(jìng)化是許多鍍膜技術(shù)提高膜基結(jié)合力的重要措施;

2)採(cǎi)用電弧離子鍍進(jìn)行“主弧轟擊”是提高膜基結(jié)合力的關(guān)鍵措施:由於金屬離化率高,更多的金屬離子以高能量到達(dá)工件表面,可以將污染物轟擊下來(lái);可以將基材原子濺射下來(lái),露出基材原子的活性面;可以現(xiàn)成膜基的成分共混層。因此,在一磁控濺射為主的設(shè)備中都加柱弧源或矩形平面大弧源用於主弧轟擊,然後用磁控濺射靶進(jìn)行鍍膜。

(1)採(cǎi)用脈衝偏壓電源的高檔,電壓值在(700—1000)V範(fàn)圍。脈衝偏壓電源的占空比調(diào)整在20%左右,以利於迅速滅弧和高壓轟擊效果,如果採(cǎi)用直流或高的占空比,會(huì)使工件溫度升得太高。

(2)真空度2×10-2Pa,分子自由程長(zhǎng),金屬離子可以不經(jīng)碰撞地以高能量到達(dá)工件。以清除工件表面的吸附氣體和污染物,以提高膜層的附著力。


6.4 沉積氮化鈦:

1)沉積純金屬層:

在工件基材和氮化鈦等化合物層間沉積延展性好的純金屬層,有利於化合物層與基體間的結(jié)合性能。因此用“主弧轟擊的措施沉積純金屬層也是當(dāng)前採(cǎi)用的重要方法,較高能量的離子對(duì)工件的轟擊進(jìn)一步加熱。

調(diào)整真空度和工件偏壓值:一般氬氣壓力為(1—3)×10-1Pa,採(cǎi)用脈衝偏壓電源的中檔,工件施加(300—500)V負(fù)偏壓。

2)沉積氮化鈦等化合物膜:

通入反應(yīng)氣,調(diào)整氣體比例。工作氣體總壓強(qiáng)(3—5)×10-1Pa。

採(cǎi)用偏壓電源的低檔,將偏壓降至(100—200)V,占空比調(diào)整到60%—80%,可以加大偏流,提高鍍膜室內(nèi)的等離子體密度。有利於反應(yīng)沉積、提高膜基結(jié)合力、細(xì)化膜層組織。

3)配氣:

進(jìn)行離子轟擊和鍍純金屬時(shí)採(cǎi)用氬氣。沉積氮化鈦等化合物膜時(shí)通入反應(yīng)氣體,如N2、C2H2、O2、CO2等。採(cǎi)用品質(zhì)流量計(jì)向鍍膜室通入選定比例的氣體,以保證獲得所需化合物塗層的化合比,保證塗層的色澤和性能。鍍膜過程中,各氣體的比例應(yīng)該是不斷變化的。

在各段工藝的調(diào)整過程中,參數(shù)的調(diào)整應(yīng)該是逐漸變化,以便使膜層組織、成分漸變,獲得低度層或過渡層。



離子鍍應(yīng)用範(fàn)圍


7.1 真空鍍膜的應(yīng)用範(fàn)圍:半導(dǎo)體積體電路、光導(dǎo)纖維、太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能熱水器、

太陽(yáng)灶、光碟、磁片、敏感元件、平板顯示器、選擇吸收玻璃、智慧窗玻璃、人體植入部件等功能薄膜;


7.2 離子鍍膜技術(shù)應(yīng)用範(fàn)圍

工模具超硬塗層、航太軸承、機(jī)械零件;汽輪機(jī)葉片的耐蝕抗氧化塗層;

裝飾件、手機(jī)配件。


7.3 離子鍍薄膜的膜層結(jié)構(gòu)

單源單層:氮化鈦塗層TiN、TiC、ZrN、CrN、AlN等。硬度約1800—2600Hv;

多元單層:TiCN、TiAlN等。硬度2200—2800Hv;

複合塗層:TiN/TiCN、TiN/TiCN/TiN、TiN/ZrN、TiN/CrN、TiN/AlN、TiN/C3N4、TiN/C3N4/DLC等。硬度3500—4500Hv;

納米結(jié)構(gòu)塗層;多層膜中的每一層厚度為nm,也稱之為“調(diào)製週期”。各層可以是化合物/化合物,也可以是金屬非晶/納米金屬化合物,如:nc-TiN/a-Si3N4、Ti-Al-N、Ti-B-N等。調(diào)製週期6.8—30nm,硬度可達(dá)4700—10000Hv(47—100GPa)。

要求鍍膜機(jī)的配置能夠滿足沉積薄膜的厚度為0.2—5μm的納米多層膜。

 

上一篇: 沒有了

下一篇: 離子鍍膜技術(shù)原理及工藝3

>返回