公和我在厨房里添,av无码精品一区二区三区,亚洲中文字幕一区精品自拍,99久久人妻精品免费一区

離子鍍膜技術(shù)原理及工藝 1

離子鍍膜技術(shù)原理及工藝 

(1-3)離子鍍技術(shù)簡介

王福貞



1  離子鍍技術(shù)的意義

離子鍍技術(shù)的意義是,在真空氣體放電環(huán)境中,從固態(tài)源獲得的膜層原子被電離成離子,在工件所施加負(fù)偏壓加速下,金屬離子始終以較高的能量達(dá)到工件形成金屬或化合物膜層。是物理氣相沉積技術(shù)中的核心技術(shù)

2  離子鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)

2.1 與真空蒸發(fā)鍍膜比較:

膜層組織緻密

膜層結(jié)構(gòu)可控

膜基結(jié)合力大

2.2 與磁控濺射鍍膜比較

沉積速率高

金屬離化率高,容易獲得化合物膜層

2.3 與化學(xué)氣相沉積比較

獲得金屬化合物膜層的溫度低

2.4 離子鍍技術(shù)有廣泛的應(yīng)用前景

 在工模具表面沉積硬質(zhì)塗層和在錶殼、錶帶、衛(wèi)生潔具、手機(jī)殼表面沉積裝飾鍍層。

3  離子鍍膜技術(shù)是物理氣相沉積技術(shù)中的核心技術(shù)的概論  

3.1 氣相沉積分類

以沉積TiN為例介紹個技術(shù)特點(diǎn):生成TiN的反應(yīng)是如下:

              TiCl4  + 1/2 N+2 H2―→TiN  +  4HCl

化學(xué)氣相沉積技術(shù)——CVD:氣態(tài)源、高溫(600~1000℃)反應(yīng)。熱能,硬質(zhì)合金;

物理氣相沉積技術(shù)——PVD:固態(tài)源、低溫(200~500℃)反應(yīng),等離子體能量,高速鋼;

物理氣相沉積技術(shù)——PCVD:氣態(tài)源、低溫(500~600℃)反應(yīng),等離子體能量,高速鋼。

3.2 物理氣相沉積技術(shù)分類

  真空蒸發(fā)鍍——金屬熱蒸發(fā)汽化成原子,高真空度(10-3–10-4) Pa,工件不加負(fù)偏壓;

離子鍍技術(shù)——金屬熱蒸發(fā)汽化成原子,低真空度(1–10-1) Pa,工件加負(fù)偏壓,在等離子體中沉積;

磁控濺射鍍——?dú)咫x子陰極濺射出金屬原子,低真空度(10-1–10-2) Pa,工件加(或不加)負(fù)偏壓。在等離子體中沉積;

現(xiàn)將與沉積硬質(zhì)塗層相關(guān)的PVD技術(shù)的具體分類和放電方式、工藝特點(diǎn)列入表1中。離子鍍和磁控濺射鍍是工業(yè)生產(chǎn)的主流塗層技術(shù),本節(jié)重點(diǎn)介紹離子鍍技術(shù)。

物理氣相沉積技術(shù)分類和特點(diǎn)             

 分 類

       

氣體放電方式

工件偏壓/V

 工作氣壓/ Pa

金屬離化率 /%

  真 空

 蒸發(fā)鍍

   電阻蒸發(fā)鍍

  電子槍蒸發(fā)鍍

     ——

     ——

    0

    0

10-310-4

10-310-4

0

0

 

 

 離子鍍

 活性反應(yīng)離子鍍

 空心陰極離子鍍

 熱絲陰極離子鍍

 陰極電弧離子鍍

磁控濺射離子鍍

   輝光放電

熱弧光放電

  熱弧光放電

冷場致弧光放電

   輝光放電

   103

50100

100120

50  200

100200

10-1

10-1

10-1

10-1

10-1

   5-15

2040

2040

6090

1020

 

  

 濺射鍍

 平衡靶磁控濺射

非平衡靶磁控濺柱靶三極磁控濺射

      

  輝 光 放 電

輝光放電 + 脈衝

輝光放電+熱電子

  射 頻 放 電

100200

100200

100200

    0

10-1

10-1

10-1

10-110-2

 510

 1530

 1020

 1015

 

返回